---
title: "Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva"
description: "Micronova G11 3D NAND memorija, sa masovnom proizvodnjom u drugoj polovini 2027, obećava duplo veću gustinu, 50 odsto brži interfejs i manju potrošnju energije."
image: https://3tacke.com/og-images/micron-g11-3d-nand-donosi-duplo-vecu-gustinu-i-400-slojeva.webp
url: https://3tacke.com/articles/micron-g11-3d-nand-donosi-duplo-vecu-gustinu-i-400-slojeva
published_at: 2026-10-23T16:04:11.000Z
updated_at: 2026-10-23T16:04:11.000Z
language: "sr-Latn-RS"
categories: ["tehnologija"]
keywords: ["3d nand", "gustina bitova", "micron g11", "wafer-on-wafer"]
---

# Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva

> Micronova G11 3D NAND memorija, sa masovnom proizvodnjom u drugoj polovini 2027, obećava duplo veću gustinu, 50 odsto brži interfejs i manju potrošnju energije.

Micron je predstavio novu generaciju 3D NAND memorije pod nazivom G11, koja će u masovnu proizvodnju ući u drugoj polovini 2027. godine. Kompanija tvrdi da će ova tehnologija doneti približno duplo veću gustinu bitova u odnosu na trenutnu G9 generaciju, sa 21 na 42 Gb/mm², uz povećanje I/O brzina sa 3.600 na 5.400 MT/s i smanjenje potrošnje energije po bitu za više od 25 odsto.

Ključna promena je uvođenje wafer-on-wafer bonding tehnologije, koja omogućava proizvodnju NAND niza i perifernih kola na odvojenim pločama, što daje veću fleksibilnost u optimizaciji. G11 će imati više od 400 slojeva, a Micron istovremeno razvija nove materijale i gušće arhitekture ćelija za buduće generacije. Više tehničkih detalja biće objavljeno 2027. godine.

## Povezani članci

- [SK hynix traži izvoznu dozvolu za opremu u Kinu](https://3tacke.com/articles/sk-hynix-trazi-izvoznu-dozvolu-za-opremu-u-kinu)
- [Micron odustaje od 4F² DRAM arhitekture nakon dve decenije](https://3tacke.com/articles/micron-odustaje-od-4f-dram-arhitekture-nakon-dve-decenije)
- [Samsung i SK Hynix nadograđuju kineske fabrike za AI memoriju](https://3tacke.com/articles/samsung-i-sk-hynix-nadogradjuju-kineske-fabrike-za-ai-memoriju)
- [Nvidia DLSS 5 duplo brži, manja potrošnja VRAM-a](https://3tacke.com/articles/nvidia-dlss-5-duplo-brzi-manja-potrosnja-vram-a)

---

[3 Tačke](https://3tacke.com/) · [tehnologija](https://3tacke.com/categories/tehnologija) · [Magazin](https://3tacke.com/magazine) · [RSS](https://3tacke.com/rss.xml)

```json
{"@context":"https://schema.org","@type":"NewsArticle","headline":"Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva","description":"Micronova G11 3D NAND memorija, sa masovnom proizvodnjom u drugoj polovini 2027, obećava duplo veću gustinu, 50 odsto brži interfejs i manju potrošnju energije.","datePublished":"2026-10-23T16:04:11.000Z","dateModified":"2026-10-23T16:04:11.000Z","inLanguage":"sr-Latn-RS","url":"https://3tacke.com/articles/micron-g11-3d-nand-donosi-duplo-vecu-gustinu-i-400-slojeva","citation":"https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/microns-next-generation-3d-nand-to-double-bit-density-with-over-400-layers-offering-extreme-performance-g11-3d-nand-promises-42-gb-mm2-and-5-400-mt-s-interface-speed"}
```