---
title: "Micron planira wafer bonding i High-NA EUV za DRAM"
description: "Micron će uvesti wafer bonding sa 1ε DRAM procesom i High-NA EUV litografiju za buduće generacije, uz razvoj vertikalne memorije za AI procesore."
image: https://3tacke.com/og-images/micron-planira-wafer-bonding-i-high-na-euv-za-dram.webp
url: https://3tacke.com/articles/micron-planira-wafer-bonding-i-high-na-euv-za-dram
published_at: 2026-10-26T15:40:30.000Z
updated_at: 2026-10-26T15:40:30.000Z
language: "sr-Latn-RS"
categories: ["tehnologija"]
keywords: ["high-na euv", "micron dram", "vhbm memorija", "wafer bonding"]
---

# Micron planira wafer bonding i High-NA EUV za DRAM

> Micron će uvesti wafer bonding sa 1ε DRAM procesom i High-NA EUV litografiju za buduće generacije, uz razvoj vertikalne memorije za AI procesore.

Micron je odustao od 4F2 memorijskih ćelija i umesto toga planira da nastavi skaliranje DRAM-a uvođenjem wafer bonding tehnologije sa predstojećim 1ε procesom. Kompanija trenutno proizvodi 1γ DRAM, dok 1δ treba da uđe u masovnu proizvodnju u drugoj polovini 2027. godine sa povećanjem gustine bitova od oko 20 odsto. Za kasnije generacije, ζÅ i ηÅ, Micron planira High-NA EUV litografiju i nove materijale.

Pored novih procesa, Micron razvija i vertikalnu high-bandwidth memoriju (vHBM) i vertikalnu edge inference memoriju (vEIM), koje se integrišu direktno na procesore. vHBM smanjuje latenciju i povećava propusni opseg, ali nosi termalne izazove, dok je vEIM namenjen energetski efikasnim edge AI uređajima. Obe tehnologije zahtevaju napredno pakovanje, poput hibridnog bondinga, a komercijalni rokovi nisu objavljeni.

## Povezani članci

- [Intel počinje instalaciju opreme u Fab 62 u Arizoni](https://3tacke.com/articles/intel-pocinje-instalaciju-opreme-u-fab-62-u-arizoni)
- [Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva](https://3tacke.com/articles/micron-g11-3d-nand-donosi-duplo-vecu-gustinu-i-400-slojeva)
- [Micron odustaje od 4F² DRAM arhitekture nakon dve decenije](https://3tacke.com/articles/micron-odustaje-od-4f-dram-arhitekture-nakon-dve-decenije)
- [AMD Zen 6 APU sa 24GB LPDDR5 memorije u benchmarku](https://3tacke.com/articles/amd-zen-6-apu-sa-24gb-lpddr5-memorije-u-benchmarku)

---

[3 Tačke](https://3tacke.com/) · [tehnologija](https://3tacke.com/categories/tehnologija) · [Magazin](https://3tacke.com/magazine) · [RSS](https://3tacke.com/rss.xml)

```json
{"@context":"https://schema.org","@type":"NewsArticle","headline":"Micron planira wafer bonding i High-NA EUV za DRAM","description":"Micron će uvesti wafer bonding sa 1ε DRAM procesom i High-NA EUV litografiju za buduće generacije, uz razvoj vertikalne memorije za AI procesore.","datePublished":"2026-10-26T15:40:30.000Z","dateModified":"2026-10-26T15:40:30.000Z","inLanguage":"sr-Latn-RS","url":"https://3tacke.com/articles/micron-planira-wafer-bonding-i-high-na-euv-za-dram","citation":"https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-plans-to-use-wafer-bonding-and-high-na-euv-for-next-gen-dram-company-also-developing-vertical-high-bandwidth-memory-and-vertical-edge-inference-memory-integrated-directly-on-top-of-processors"}
```