NEO Semiconductor je 23. aprila saopštio da je njegova 3D X-DRAM tehnologija prošla proof-of-concept validaciju. Prototipovi su izrađeni i testirani u Tajvanu, u saradnji sa NIAR-TSRI i Nacionalnim univerzitetom Yang Ming Chiao Tung, uz korišćenje postojećih 3D NAND procesa i opreme.
Kompanija tvrdi da nova memorija donosi veću gustinu, manju potrošnju energije i bolje performanse za AI opterećenja, uz latenciju ispod 10 nanosekundi i izdržljivost veću od 10¹⁴ ciklusa. Istovremeno je obezbeđena strateška investicija koju predvodi Stan Shih, a cilj je dalji razvoj i partnerstva za tržišnu primenu.
