3 Tačke
Članak

Proboj od 0,42 nanometra za tranzistore izvan silicijuma

Istraživači su razvili ultra-tanak sloj od 0,42 nanometra koji omogućava tanje dielektrike i bolje performanse tranzistora od atomski tankih poluprovodnika.

3 Tačke
38 sekundi čitanja

Istraživači sa Nacionalnog univerziteta Jang Ming Čiao Tung (NYCU) i TSMC Corporate Research objavili su u časopisu Nature Electronics novu metodu za inženjering atomskog spoja između poluprovodnika i izolacionog sloja. Ovaj pristup omogućava izradu izuzetno tankih dielektrika, debljine svega 0,42 nanometra, uz očuvanje visokih performansi tranzistora.

Tehnika podrazumeva postavljanje epitaksijalnog aluminijumskog sloja na monosloj molibden-disulfida (MoS2), koji se zatim oksidiše u aluminijum-oksid. Ovaj tanak međusloj deluje kao atomski bafer, smanjujući neželjene električne interakcije i omogućavajući ravnomerniji rast hafnijum-oksida. Rezultat su tranzistori sa ekvivalentnom debljinom oksida od oko jednog nanometra, niskom strujom curenja i dobrom kontrolom, što predstavlja korak ka praktičnoj dvodimenzionalnoj elektronici.

Povezani članci