Istraživači iz Južne Koreje i Japana predstavili su dva nova pristupa za povećanje kapaciteta i propusnosti HBM memorije bez dodatnog zagrevanja, što je ključni problem za buduće AI akceleratore. Projekti V-Die (UNIST) i MOSAIC (Univerzitet u Tokiju) postavljaju DRAM čipove uspravno umesto vertikalnog slaganja, čime se povećava površina za hlađenje i omogućavaju novi načini povezivanja.
V-Die koristi tečno hlađenje između čipova i postiže 540 tokena po sekundi na GPT-3 modelu, dok MOSAIC uvodi bezkontaktni induktivni interfejs za lakše povezivanje. Oba rešenja su još u ranoj fazi razvoja, ali obećavaju značajna poboljšanja u odnosu na postojeće HBM4 sisteme, uključujući niže temperature i veću gustinu memorije.
