3 Tačke
Članak

Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva

Micronova G11 3D NAND memorija, sa masovnom proizvodnjom u drugoj polovini 2027, obećava duplo veću gustinu, 50 odsto brži interfejs i manju potrošnju energije.

3 Tačke
43 sekunde čitanja

Micron je predstavio novu generaciju 3D NAND memorije pod nazivom G11, koja će u masovnu proizvodnju ući u drugoj polovini 2027. godine. Kompanija tvrdi da će ova tehnologija doneti približno duplo veću gustinu bitova u odnosu na trenutnu G9 generaciju, sa 21 na 42 Gb/mm², uz povećanje I/O brzina sa 3.600 na 5.400 MT/s i smanjenje potrošnje energije po bitu za više od 25 odsto.

Ključna promena je uvođenje wafer-on-wafer bonding tehnologije, koja omogućava proizvodnju NAND niza i perifernih kola na odvojenim pločama, što daje veću fleksibilnost u optimizaciji. G11 će imati više od 400 slojeva, a Micron istovremeno razvija nove materijale i gušće arhitekture ćelija za buduće generacije. Više tehničkih detalja biće objavljeno 2027. godine.

Teme

Povezani članci

SK hynix traži izvoznu dozvolu za opremu u Kinu

SK hynix navodno uslovljava izgradnju 3D NAND fabrike u SAD odobrenjem izvoza dodatne opreme za svoj pogon u Dalianu u Kini.

37 sekundi čitanja

Micron odustaje od 4F² DRAM arhitekture nakon dve decenije

Micron je zaključio da 4F² DRAM ne donosi značajne prednosti u gustini, već povećava složenost i troškove proizvodnje, pa se okreće 3D DRAM-u.

49 sekundi čitanja

Samsung i SK Hynix nadograđuju kineske fabrike za AI memoriju

Samsung i SK Hynix unapređuju proizvodnju u kineskim fabrikama kako bi proizveli naprednije NAND čipove za AI centre, uz pritisak kineskih proizvođača i američkih ograničenja.

49 sekundi čitanja

Nvidia DLSS 5 duplo brži, manja potrošnja VRAM-a

Nvidia je predstavila ažuriranje DLSS 5 koje donosi dvostruko veće performanse, 20% manju potrošnju VRAM-a pri 4K rezoluciji i novi Performance Mode.

44 sekunde čitanja