3 Tačke
Članak

Micron planira wafer bonding i High-NA EUV za DRAM

Micron će uvesti wafer bonding sa 1ε DRAM procesom i High-NA EUV litografiju za buduće generacije, uz razvoj vertikalne memorije za AI procesore.

3 Tačke
44 sekunde čitanja

Micron je odustao od 4F2 memorijskih ćelija i umesto toga planira da nastavi skaliranje DRAM-a uvođenjem wafer bonding tehnologije sa predstojećim 1ε procesom. Kompanija trenutno proizvodi 1γ DRAM, dok 1δ treba da uđe u masovnu proizvodnju u drugoj polovini 2027. godine sa povećanjem gustine bitova od oko 20 odsto. Za kasnije generacije, ζÅ i ηÅ, Micron planira High-NA EUV litografiju i nove materijale.

Pored novih procesa, Micron razvija i vertikalnu high-bandwidth memoriju (vHBM) i vertikalnu edge inference memoriju (vEIM), koje se integrišu direktno na procesore. vHBM smanjuje latenciju i povećava propusni opseg, ali nosi termalne izazove, dok je vEIM namenjen energetski efikasnim edge AI uređajima. Obe tehnologije zahtevaju napredno pakovanje, poput hibridnog bondinga, a komercijalni rokovi nisu objavljeni.

Teme

Povezani članci

Intel počinje instalaciju opreme u Fab 62 u Arizoni

Intel je započeo instalaciju proizvodne opreme u fabrici Fab 62 u Arizoni, potvrdio korišćenje High-NA EUV litografije i izvestio o napretku kompleksa Ohio One.

45 sekundi čitanja

Micron G11 3D NAND donosi duplo veću gustinu i 400 slojeva

Micronova G11 3D NAND memorija, sa masovnom proizvodnjom u drugoj polovini 2027, obećava duplo veću gustinu, 50 odsto brži interfejs i manju potrošnju energije.

43 sekunde čitanja

Micron odustaje od 4F² DRAM arhitekture nakon dve decenije

Micron je zaključio da 4F² DRAM ne donosi značajne prednosti u gustini, već povećava složenost i troškove proizvodnje, pa se okreće 3D DRAM-u.

49 sekundi čitanja

AMD Zen 6 APU sa 24GB LPDDR5 memorije u benchmarku

Inženjerski uzorak AMD čipa sa 24GB LPDDR5 memorije pojavio se u OpenBenchmarking listingu, a mogao bi biti deo Gainsborough familije za buduće Steam Deck konzole.

50 sekundi čitanja