Samsung je na Computex 2026 u Tajpeju prikazao prvi fizički model HBM5 memorije sa novim sistemom hlađenja unutar pakovanja, nazvanim Heat Path Block (HPB). Ovo je odgovor na sve veće termalne izazove kod AI memorije, posebno u D2D PHY sloju gde gustina snage i temperature rastu sa povećanjem broja slojeva i brzine. Samsung je potvrdio da će HBM5 koristiti 2nm proces za bazni sloj, napred u odnosu na 4nm kod HBM4.
HPB sistem koristi odvojene termalne stubove koji odvode toplotu iz unutrašnjosti steka do hladnjaka iznad ili pored pakovanja. Samsung je HPB već implementirao i verifikovao na HBM4E, čiji prvi 12-slojni uzorci isporučeni su prošlog meseca. Sa druge strane, SK hynix je predstavio iHBM dizajn koji ugrađuje rashladne elemente od silicijuma u D2D PHY sloj, smanjujući termalni otpor za preko 30%. Obe kompanije očekuju masovnu proizvodnju HBM5 tek nakon 2028. godine.
